Η Samsung Electronics ανακοίνωσε ότι έχει επεκτείνει το χαρτοφυλάκιο μνήμης DDR5 DRAM με την πρώτη μονάδα 512 GB DDR5 της βιομηχανίας που βασίζεται στην τεχνολογία επεξεργασίας High-K Metal Gate (HKMG). Παρέχοντας περισσότερες από δύο φορές την απόδοση της DDR4, έως και 7.200 megabits ανά δευτερόλεπτο (Mbps), η νέα DDR5 θα είναι ικανή να ενορχηστρώνει τους πιο ακραίους φόρτους εργασίας υπολογιστών με υψηλό εύρος ζώνης, εφαρμογές τεχνητής νοημοσύνης (AI) και μηχανικής μάθησης ( ML), καθώς και ανάλυσης δεδομένων.
Η DDR5 της Samsung θα χρησιμοποιεί εξαιρετικά προηγμένη τεχνολογία HKMG που παραδοσιακά χρησιμοποιείται σε λογικούς ημιαγωγούς
Η τεχνολογία HKMG υιοθετήθηκε στη μνήμη GDDR6 της Samsung το 2018 για πρώτη φορά στον κλάδο. Επεκτείνοντας τη χρήση της στη DDR5, η Samsung ενισχύει περαιτέρω την ηγετική της θέση στην τεχνολογία DRAM επόμενης γενιάς.
Αξιοποιώντας την τεχνολογία "through silicon-via" (TSV), η DDR5 της Samsung συσσωρεύει οκτώ στρώματα τσιπ DRAM 16Gb για να προσφέρει τη μεγαλύτερη χωρητικότητα 512 GB. Η τεχνολογία TSV χρησιμοποιήθηκε για πρώτη φορά σε μνήμες DRAM το 2014 όταν η Samsung παρουσίασε μονάδες διακομιστή με χωρητικότητα έως 256 GB.
Η Samsung δοκιμάζει, επί του παρόντος, διαφορετικές παραλλαγές της οικογένειας προϊόντων μνήμης DDR5 σε πελάτες για επαλήθευση και τελική πιστοποίηση. thelab
Freegr network blog- News about pc, technology.
freegr
