Η Kioxia θα παρουσιάσει νέες τεχνολογίες DRAM και 3D-NAND στο IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), το οποίο θα διεξαχθεί στο Σαν Φρανσίσκο από 7 έως 11 Δεκεμβρίου 2024. Παράλληλα με τη συνεργασία της με τη Western Digital για την παραγωγή NAND, η Kioxia εισέρχεται στον χώρο των DRAM με την ανάπτυξη ενός νέου τύπου DRAM που βασίζεται σε ημιαγωγούς οξειδίου και στοχεύει στη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας, καθώς και ένα νέο 3D-NAND σχεδιασμό που επιτυγχάνει μεγαλύτερη χωρητικότητα και βελτιωμένη απόδοση.
Η νέα τεχνολογία DRAM, γνωστή ως Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM), αναπτύσσεται από κοινού με την Nanya Technology και διαθέτει έναν κατακόρυφο τρανζίστορ InGaZnO (Οξείδιο Ινδίου Γαλλίου Ψευδάργυρου) που μειώνει τη διαρροή ρεύματος σε εξαιρετικά χαμηλό επίπεδο. Το OCTRAM ενσωματώνει τεχνολογία 4F2, επιτρέποντας υψηλότερη πυκνότητα κυκλωμάτων, και αναμένεται να φέρει επανάσταση στη μελλοντική παραγωγή DRAM, ενώ τα τεχνικά στοιχεία του έχουν δημοσιευτεί στο συνέδριο στο άρθρο αριθμού 6-1.
Επιπλέον, η Kioxia σε συνεργασία με την SK hynix παρουσίασε μια καινοτόμα προσέγγιση για MRAM για εφαρμογές storage-class memory (SCM) με τεχνολογία 1 Selector-1 MTJ (1S1M) που επιτρέπει αξιόπιστη λειτουργία μνήμης σε εξαιρετικά μικρή κλίμακα με πλάτος διαίρεσης των 20,5 νανομέτρων. Η χρήση νέων κυκλωμάτων ανάγνωσης που μειώνουν τη χωρητικότητα βελτιώνει την αξιοπιστία, ενώ εξαλείφει προβλήματα από την υποκλίμακα 1S1M, όπως αναφέρεται στο άρθρο αριθμού 20-1.
Η τρίτη καινοτομία αφορά ένα νέο οριζόντιο κανάλι 3D-NAND, με την ονομασία Advanced Horizontal Channel Flash (HCF), που στοχεύει στη βελτίωση της ανθεκτικότητας και αποτροπή της υποβάθμισης απόδοσης σε μεγάλες στοίβες μνήμης. Αυτή η οριζόντια διάταξη επιτρέπει την αποδοτικότητα κυττάρων, αποφεύγοντας την απώλεια απόδοσης λόγω υπερβολικής κατακόρυφης στοίβαξης, και ενισχύει τη συμβατότητα με τις σύγχρονες απαιτήσεις της 3D flash μνήμης, όπως περιγράφεται στο άρθρο αριθμού 30-1.
Η Kioxia, με αυτές τις παρουσιάσεις, αναδεικνύει τη δέσμευσή της να ηγηθεί των εξελίξεων στον χώρο των τεχνολογιών αποθήκευσης και μνήμης με λύσεις υψηλής αποδοτικότητας και καινοτομίας.
Freegr network blog- News about pc, technology.
freegr
![Συντάξεις: Διπλή απαλλαγή στην ΕΑΣ - Ποιοι συνταξιούχοι θα δουν αύξηση τον Δεκέμβριο [πίνακες με ποσά]](https://www.newsnowgr.com/static/gfx/nn124x78.gif)
