Η Taiwan Economic Daily ισχυρίζεται ότι η TSMC πέτυχε μια σημαντική εσωτερική ανακάλυψη για την τελική διάθεση της τεχνολογίας λιθογραφίας 2 nm. Σύμφωνα με τη δημοσίευση, αυτή η σημαντική ανακάλυψη επιτρέπει στην TSMC να αισιοδοξεί σε μια υλοποίηση πρώιμης παραγωγής "Risk Production" 2 nm το 2023. Εντυπωσιακές είναι ακόμα οι αναφορές ότι η TSMC θα εγκαταλείψει την τεχνολογία FinFet για ένα νέο τρανζίστορ αρχιτεκτονικής multi-bridge channel field effect (MBCFET) που βασίζεται στην τεχνολογία Gate-All-Around (GAA). Αυτή η σημαντική ανακάλυψη έρχεται ένα χρόνο μετά τη δημιουργία εσωτερικής ομάδας από την TSMC, στόχος της οποίας ήταν να ανοίξει τον δρόμο για την ανάπτυξη λιθογραφίας 2 nm.
Η τεχνολογία MBCFET επεκτείνει την αρχιτεκτονική GAAFET παίρνοντας το τρανζίστορ πεδίου Nanowire και "απλώνοντάς" το έτσι ώστε να γίνει Nanosheet. Η κύρια ιδέα είναι να γίνει το τρανζίστορ field-effect τρισδιάστατο. Αυτό το νέο συμπληρωματικό τρανζίστορ ημιαγωγών μεταλλικού οξειδίου μπορεί να βελτιώσει τον έλεγχο κυκλώματος και να μειώσει τη διαρροή ρεύματος. Αυτή η φιλοσοφία σχεδιασμού δεν είναι αποκλειστική για την TSMC - η Samsung σχεδιάζει να αναπτύξει μια παραλλαγή αυτού του σχεδιασμού στην τεχνολογία λιθογραφίας των 3 nm. Όπως συνήθως ισχύει, η περαιτέρω μείωση στην κλίμακα κατασκευής τσιπ έρχεται με τεράστιο κόστος. Συγκεκριμένα, το κόστος ανάπτυξης για τη λιθογραφία 5 nm έχει ήδη ανέλθει στα 476 εκατομμύρια δολάρια, ενώ η Samsung αναφέρει ότι η τεχνολογία GAA των 3 nm θα κοστίσει πάνω από 500 εκατομμύρια δολάρια. Φυσικά, η ανάπτυξη λιθογραφίας 2 nm, θα ξεπεράσει αυτά τα ποσά...
thelabgr
Freegr network blog- News about pc, technology.
freegr
